读存储器后市: DRAM优于NAND

针对内存DRAM和闪存NAND这两大存储器后市，业界普遍有“DRAM优于NAND Flash”的共识。 业者分析，目前看来，DRAM需求拉抬步调较快，价格后市相对看好；NAND Flash则因市场供给较多，预估第3季需求持平第2季，因此价格走势预料也会比DRAM弱。 业者指出，今年第2季NAND Flash市场稳定，价格小幅上扬，不过，从市场近一、两个月的反映来看，支撑第2季NAND Flash市况的笔电及数据中心等重要需求来源，第3季恐面临库存调节压力，因此从需求端来看，第3季力道并不强劲。 半导体研究机构集邦咨询 (TrendForce) 预估，第3季NAND Flash市场将转为供需平衡，主要产品价格将出现持平或微幅下跌。业者预期，在各家供应商供货节制下，今年第3、4季NAND Flash需求不强，预料价格可能小幅修正，以下半年来看，DRAM价格走势将优于NAND Flash。 业者表示，数据中心需求可说是今年上半年NAND Flash的重心，但上半年非常强劲的数据中心，以上游供应服务器存储器的原厂来看，除了一家韩系厂商对数据中心后市较明确外，其它厂商因疫情因素，能见度较没有那么长。 尤其中国大陆主要数据中心大厂需求面转保守，加上主要业者拉货已持续一段时间，后续需求有机会延伸到第3季，但需求力道将趋缓。